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GT10G131(TE12L,Q) - 东芝半导体公司常见的电子元件
GT10G131(TE12L,Q)供应商
产品参考图片
GT10G131(TE12L,Q)
制造厂商:
东芝半导体(英文名:TOSHIBA)
类别封装:
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单,封装:8-SOIC(0.173,4.40mm 宽)
技术参数:
IGBT 400V 1W 8-SOIC
(专注销售东芝半导体电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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参数详情:
制造商产品型号:GT10G131(TE12L,Q)
制造商:Toshiba Semiconductor(东芝半导体)
描述:IGBT 400V 1W 8-SOIC
系列:晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列:-
零件状态:停产
IGBT类型:-
电压-集射极击穿(最大值):400V
电流-集电极(Ic)(最大值):-
电流-集电极脉冲(Icm):200A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)(最大值):2.3V @ 4V,200A
功率-最大值:1W
开关能量:-
输入类型:标准
栅极电荷:-
25°C时Td(开/关)值:3.1μs/2μs
测试条件:-
反向恢复时间(trr):-
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
封装:8-SOIC(0.173,4.40mm 宽)
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