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GT30J121(Q) - 东芝半导体公司常见的电子元件
GT30J121(Q)供应商
产品参考图片
GT30J121(Q)
制造厂商：
东芝半导体（英文名：TOSHIBA）
类别封装：
晶体管 - UGBT、MOSFET - 单，封装：TO-3P-3，SC-65-3
技术参数：
IGBT 600V 30A 170W TO3PN
（专注销售东芝半导体电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
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参数详情：
制造商产品型号：GT30J121(Q)
制造商：Toshiba Semiconductor（东芝半导体）
描述：IGBT 600V 30A 170W TO3PN
系列：晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
产品系列：*
零件状态：有源
IGBT类型：-
电压-集射极击穿（最大值）：600V
电流-集电极(Ic)（最大值）：30A
电流-集电极脉冲(Icm)：60A
不同?Vge、Ic时?Vce(on)（最大值）：2.45V @ 15V，30A
功率-最大值：170W
开关能量：1mJ（开），800μJ（关）
输入类型：标准
栅极电荷：-
25°C时Td（开/关）值：90ns/300ns
测试条件：300V，30A，24 欧姆，15V
反向恢复时间(trr)：-
工作温度：-
安装类型：通孔
封装：TO-3P-3，SC-65-3
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