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GT30J324(Q) - 东芝半导体公司常见的电子元件
GT30J324(Q)供应商
产品参考图片
GT30J324(Q)
制造厂商:
东芝半导体(英文名:TOSHIBA)
类别封装:
单路IGBT,TO-3P
技术参数:
IGBT 600V 30A 170W TO3PN
(专注销售东芝半导体电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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参数详情:
制造商产品型号:GT30J324(Q)
制造商:Toshiba Semiconductor(东芝半导体)
描述:IGBT 600V 30A 170W TO3PN
系列:-
IGBT 类型:-
电压 - 集射极击穿(最大值):600V
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):30A
Current - Collector Pulsed (Icm):60A
不同 Vge、Ic 时的 Vce(on):2.45V @ 15V,30A
功率 - 最大值:170W
Switching Energy:1mJ (开), 800μJ (关)
输入类型:标准
Gate Charge:-
25°C 时 Td(开/关)值:90ns/300ns
Test Condition:300V, 30A, 24 欧姆, 15V
反向恢复时间 (trr):60ns
封装/外壳:TO-3P-3,SC-65-3
安装类型:通孔
供应商器件封装:TO-3P(N)
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