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MG400Q2YMS3(DAE)供应商
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MG400Q2YMS3(DAE)
- 制造厂商：TOSHIBA（东芝半导体，已更名为Kioxia铠侠）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列，封装:-
- 技术参数：SIC MOSFET MODULE, 1200V, 400A
- （专注销售东芝半导体电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
- （您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购）
MG400Q2YMS3(DAE)参数详情：
- 型号:MG400Q2YMS3(DAE)
- 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
- 封装:-
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > FET、MOSFET 阵列
- 描述:SIC MOSFET MODULE, 1200V, 400A
- 系列:-
- 包装:托盘
- 产品状态:在售
- 技术:碳化硅（SiC）
- 配置:2 个 N 通道（半桥）
- FET 功能:-
- 漏源电压（Vdss）:1700V（1.7kV）
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):250A（Tc）
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:-
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5.6V @ 400mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:-
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:36000pF @ 900V
- 功率 - 最大值:1350W（Tc）
- 工作温度:150°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:底座安装
- 封装/外壳:模块
- 供应商器件封装:-
- MG400Q2YMS3(DAE)的官网价格：1:$1,937.50000，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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