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RN1102MFV,L3F(B - 东芝半导体公司常见的电子元件
RN1102MFV,L3F(B供应商
产品参考图片
RN1102MFV,L3F(B
制造厂商:
东芝半导体(英文名:TOSHIBA)
类别封装:
单路﹐预偏压式晶体管,VESM
技术参数:
TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
(专注销售东芝半导体电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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参数详情:
制造商产品型号:RN1102MFV,L3F(B
制造商:Toshiba Semiconductor(东芝半导体)
描述:TRANS PREBIAS NPN 0.15W VESM
系列:-
晶体管类型:NPN - 预偏压
电流 - 集电极 (Ic)(最大值):100mA
电压 - 集射极击穿(最大值):50V
电阻器 - 基底 (R1) (Ω):10k
电阻器 - 发射极基底 (R2) (Ω):10k
不同 Ic、Vce 时的 DC 电流增益 (hFE)(最小值):50 @ 10mA,5V
不同 Ib、Ic 时的 Vce 饱和值(最大值):300mV @ 500μA,5mA
电流 - 集电极截止(最大值):500nA
频率 - 跃迁:-
功率 - 最大值:150mW
安装类型:表面贴装
封装/外壳:SOT-723
供应商器件封装:VESM
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