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    RN2101MFV,L3F(CT
  • 制造厂商：东芝半导体（英文名：TOSHIBA）
  • 类别封装：晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置，封装：SOT-723
  • 技术参数：TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：RN2101MFV,L3F(CT
  • 制造商：Toshiba Semiconductor（东芝半导体）
  • 描述：TRANS PREBIAS PNP 50V 0.1A VESM
  • 系列：晶体管 - 双极（BJT）- 单，预偏置
  • 零件状态：有源
  • 晶体管类型：PNP - 预偏压
  • 电流-集电极(Ic)（最大值）：100mA
  • 电压-集射极击穿（最大值）：50V
  • 电阻器-基极(R1)：4.7 kOhms
  • 电阻器-发射极(R2)：4.7 kOhms
  • 不同?Ic、Vce?时DC电流增益(hFE)（最小值）：30 @ 10mA，5V
  • 不同?Ib、Ic时?Vce饱和压降（最大值）：300mV @ 500μA，5mA
  • 电流-集电极截止（最大值）：500nA
  • 频率-跃迁：250MHz
  • 功率-最大值：150mW
  • 安装类型：表面贴装型
  • 封装：SOT-723
  • RN2101MFV,L3F(CT的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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