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    SSM6N55NU,LF(T
  • 制造厂商：东芝半导体（英文名：TOSHIBA）
  • 类别封装：场效应管阵列，6-μDFN
  • 技术参数：MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：SSM6N55NU,LF(T
  • 制造商：Toshiba Semiconductor（东芝半导体）
  • 描述：MOSFET 2N-CH 30V 4A UDFN6
  • 系列：-
  • FET 类型：2 个 N 沟道（双）
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：30V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：46 毫欧 @ 4A， 10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：2.5V @ 100μA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：2.5nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：280pF @ 15V
  • 功率 - 最大值：1W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装：6-μDFN（2x2）
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