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    SSM6P49NU,LF(T
  • 制造厂商：东芝半导体（英文名：TOSHIBA）
  • 类别封装：场效应管阵列，6-UDFN
  • 技术参数：MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-1Y1A
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：SSM6P49NU,LF(T
  • 制造商：Toshiba Semiconductor（东芝半导体）
  • 描述：MOSFET 2P-CH 20V 4A 2-1Y1A
  • 系列：-
  • FET 类型：2 个 P 沟道（双）
  • FET 功能：逻辑电平门
  • 漏源极电压 (Vdss)：20V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：4A
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：45 毫欧 @ 3.5A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：1.2V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：6.74nC @ 4.5V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：480pF @ 10V
  • 功率 - 最大值：1W
  • 安装类型：表面贴装
  • 封装/外壳：6-WDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装：6-UDFN （2x2）
  • SSM6P49NU,LF(T的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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