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    TC58BYG2S0HBAI6
  • 制造厂商：东芝半导体（英文名：TOSHIBA）
  • 类别封装：存储器，67-VFBGA
  • 技术参数：EEPROM SLC 4GB NAND 24NM 67VFBGA
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号: TC58BYG2S0HBAI6
  • 制造厂家名称: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 功能总体简述: EEPROM SLC 4GB NAND 24NM 67VFBGA
  • 系列: Benand
  • 格式 - 存储器: EEPROMs - 串行
  • 存储器类型: EEPROM - NAND
  • 存储容量: 4G（512M x 8）
  • 速度: 25ns
  • 接口: 并联
  • 电压 - 电源: 1.7 V ~ 1.95 V
  • 工作温度: -40°C ~ 85°C
  • 封装/外壳: 67-VFBGA
  • 供应商器件封装: 67-VFBGA（6.5x8）
  • TC58BYG2S0HBAI6的订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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