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    TJ9A10M3,S4Q(M
  • 制造厂商：东芝半导体（英文名：TOSHIBA）
  • 类别封装：FET - 单，TO-220-3
  • 技术参数：MOSFET P-CH 100V 9A TO220SIS-3
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号: TJ9A10M3,S4Q(M
  • 制造厂家名称: Toshiba Semiconductor and Storage
  • 功能总体简述: MOSFET P-CH 100V 9A TO220SIS-3
  • 系列: -
  • FET 类型: MOSFET P 通道，金属氧化物
  • FET 功能: 标准
  • 漏源极电压（Vdss）: 100V
  • 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时）: 9A（Ta）
  • 不同?Id，Vgs 时的?Rds On（最大值）: 170 毫欧 @ 4.5A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值）: 4V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷（Qg）: 47nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）: 2900pF @ 10V
  • 功率 - 最大值: 19W
  • 安装类型: 通孔
  • 封装/外壳: TO-220-3 整包
  • 供应商器件封装: TO-220SIS
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