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    TK20E60U,S1X(S
  • 制造厂商：东芝半导体（英文名：TOSHIBA）
  • 类别封装：单端场效应管，TO-220-3
  • 技术参数：MOSFET DTMOSII 600V 20A TO-220AB
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：TK20E60U,S1X(S
  • 制造商：Toshiba Semiconductor（东芝半导体）
  • 描述：MOSFET DTMOSII 600V 20A TO-220AB
  • 系列：-
  • FET 类型：MOSFET N 通道，金属氧化物
  • FET 功能：标准
  • 漏源极电压 (Vdss)：600V
  • 电流 - 连续漏极 (Id)（25°C 时）：20A（Ta）
  • 不同 Id、Vgs 时的 Rds On（最大值）：190 毫欧 @ 10A，10V
  • 不同 Id 时的 Vgs(th)（最大值）：5V @ 1mA
  • 不同 Vgs 时的栅极电荷 (Qg)：27nC @ 10V
  • 不同 Vds 时的输入电容 (Ciss)：1470pF @ 10V
  • 功率 - 最大值：190W
  • 安装类型：通孔
  • 封装/外壳：TO-220-3
  • 供应商器件封装：TO-220-3
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