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TK8S06K3L(T6L1,NQ) - 东芝半导体公司常见的电子元件
TK8S06K3L(T6L1,NQ)供应商
产品参考图片
TK8S06K3L(T6L1,NQ)
制造厂商:
东芝半导体(英文名:TOSHIBA)
类别封装:
晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:DPAK+
技术参数:
MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
(专注销售东芝半导体电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
(您可通过电话、微信、QQ或邮件与销售代表联系询价及采购)
参数详情:
制造商产品型号:TK8S06K3L(T6L1,NQ)
制造商:Toshiba Semiconductor(东芝半导体)
描述:MOSFET N-CH 60V 8A DPAK
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:U-MOSIV
零件状态:有源
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):60V
25°C时电流-连续漏极(Id):8A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):6V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):54 毫欧 @ 4A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):3V @ 1mA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):10nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):400pF @ 10V
FET功能:-
功率耗散(最大值):25W(Tc)
工作温度:175°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:DPAK+
TK8S06K3L(T6L1,NQ)的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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