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TPN2R503NC,L1Q - 东芝半导体公司常见的电子元件
TPN2R503NC,L1Q供应商
产品参考图片
TPN2R503NC,L1Q
制造厂商:
东芝半导体(英文名:TOSHIBA)
类别封装:
晶体管 - FET,MOSFET - 单个,器件封装:8-TSON Advance(3.3x3.3)
技术参数:
MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV
(专注销售东芝半导体电子元器件,承诺原装!现货当天发货!)
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参数详情:
制造商产品型号:TPN2R503NC,L1Q
制造商:Toshiba Semiconductor(东芝半导体)
描述:MOSFET N CH 30V 40A 8TSON-ADV
系列:晶体管 - FET,MOSFET - 单个
产品系列:U-MOSVIII
零件状态:最後搶購
FET类型:N 通道
技术:MOSFET(金属氧化物)
漏源电压(Vdss):30V
25°C时电流-连续漏极(Id):40A(Ta)
驱动电压(最大RdsOn,最小RdsOn):4.5V,10V
不同Id、Vgs时导通电阻(最大值):2.5 毫欧 @ 20A,10V
不同Id时Vgs(th)(最大值):2.3V @ 500μA
不同Vgs时栅极电荷?(Qg)(最大值):40nC @ 10V
Vgs(最大值):±20V
不同Vds时输入电容(Ciss)(最大值):2230pF @ 15V
FET功能:-
功率耗散(最大值):700mW(Ta),35W(Tc)
工作温度:150°C(TJ)
安装类型:表面贴装型
器件封装:8-TSON Advance(3.3x3.3)
TPN2R503NC,L1Q的订货细节及现货数量,欢迎跟我们的销售代表确认。
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