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TW031V65C,LQ供应商
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TW031V65C,LQ
- 制造厂商：TOSHIBA（东芝半导体，已更名为Kioxia铠侠）
- 类别封装：分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET，封装:4-DFN-EP（8x8）
- 技术参数：N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.031 OH
- （专注销售东芝半导体电子元器件，承诺原装！现货当天发货！）
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TW031V65C,LQ参数详情：
- 型号:TW031V65C,LQ
- 品牌:Toshiba Semiconductor and Storage (东芝半导体，现已更名为Kioxia铠侠)
- 封装:4-DFN-EP（8x8）
- 类目:分立半导体产品 > 晶体管 > FET，MOSFET > 单 FET，MOSFET
- 描述:N-CH SIC MOSFET, 650 V, 0.031 OH
- 系列:-
- 包装:卷带（TR）
- 产品状态:在售
- FET 类型:N 通道
- 技术:SiCFET（碳化硅）
- 漏源电压（Vdss）:650 V
- 25°C 时电流 - 连续漏极 (Id):53A（Tc）
- 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）:18V
- 不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）:45 毫欧 @ 29A，18V
- 不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）:5V @ 3mA
- 不同 Vgs 时栅极电荷(Qg)（最大值）:65 nC @ 18 V
- Vgs（最大值）:+25V，-10V
- 不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）:2288 pF @ 400 V
- FET 功能:-
- 功率耗散（最大值）:156W（Tc）
- 工作温度:175°C
- 等级:-
- 资质:-
- 安装类型:表面贴装型
- 供应商器件封装:4-DFN-EP（8x8）
- 封装/外壳:4-VSFN 焊盘
- TW031V65C,LQ的官网价格：1:$40.82000|2500:$25.51250，订货细节及现货数量，欢迎跟我们的销售代表确认。
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