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    XK1R9F10QB,LXGQ
  • 制造厂商：东芝半导体（英文名：TOSHIBA）
  • 类别封装：晶体管 - FET，MOSFET - 单个，器件封装：TO-220SM（W）
  • 技术参数：MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
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    • 参数详情：
  • 制造商产品型号：XK1R9F10QB,LXGQ
  • 制造商：Toshiba Semiconductor（东芝半导体）
  • 描述：MOSFET N-CH 100V 160A TO220SM
  • 系列：晶体管 - FET，MOSFET - 单个
  • 产品系列：U-MOSX-H
  • 零件状态：有源
  • FET类型：N 通道
  • 技术：MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压（Vdss）：100V
  • 25°C时电流-连续漏极(Id)：160A（Ta）
  • 驱动电压（最大RdsOn，最小RdsOn）：6V，10V
  • 不同Id、Vgs时导通电阻（最大值）：1.92 毫欧 @ 80A，10V
  • 不同Id时Vgs(th)（最大值）：3.5V @ 1mA
  • 不同Vgs时栅极电荷?(Qg)（最大值）：184nC @ 10V
  • Vgs（最大值）：±20V
  • 不同Vds时输入电容(Ciss)（最大值）：1150pF @ 10V
  • FET功能：-
  • 功率耗散（最大值）：375W（Tc）
  • 工作温度：175°C
  • 安装类型：表面贴装型
  • 器件封装：TO-220SM（W）
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